快闪存储器及储存设备大厂西部数据（西数，“WD”）于22日宣布，已在该公司的日本四日市工厂开始试产容量512Gb、采用TLC技术的64层3D NAND(BICS3)的快闪存储器芯片，并且预计于2017下半年开始进行量产。
这款全球首创的快闪存储器芯片，是西数在快闪存储器产业近30年以来，诸多创举中的最新力作。
根据西数存储器技术执行副总裁Siva Sivaram表示，推出业界首款容量512Gb、64层3D NAND的快闪存储芯片，是西数在3D NAND技术的一大进展。
其储存密度与2016年7月推出的64层架构的快闪存储器芯片相比增加一倍之多。这使西数快速拓展的3D NAND技术产品组合更加完整。并且能够持续满足客户因应零售、移动与资料中心应用日益增长的储存需求。
这款全新的512Gb，64层快闪存储器芯片，是由西数与其技术及制造合作伙伴东芝(Toshiba)所联合开发。西数在2016年7月发布全球首创64层3D NAND技术，并于2015年开发出48层3D NAND技术，两种技术产品目前持续向零售及OEM顾客出货。
事实上，面对合作伙伴东芝因为亏损而必须要拆分半导体事业，并可能出售大部分半导体业务股权的情况。由于，西数旗下的Sandisk与东芝有多年的合作关系，使得西数成为在2015年宣布收购了SanDisk之后，成为当前的台面上最有可能出钱收购东芝半导体股权的公司。
当前，虽然东芝也有自己的渠道销售所生产的快闪存储器。但是，根据与西数的合作关系，东芝所生产的快闪存储器有高达45%的比率必须要提供给西数旗下的Sandisk使用。
而调查数据显示，就全球NAND快闪存储器市场来说，三星以市占率为32.6%抢下龙头宝座位置，东芝以21%排名第二位，SanDisk、美光以15.4%与14.8%分居三、四名。
而SK海力士仅以11.9%吊车尾挤进前五强。再加上当前西数又领先业界推出首款容量512Gb、64层3D NAND快闪存储器芯片。未来一旦西数真的抢下东芝半导体的多数股权，则很可能将为其他厂商带来更多的压力。
来源：TechNews科技新报
