存储器
存储器中的最小单位——存储位元
若干个存储位元组成一个存储单元，许多存储单元组成一个存储器。
访问信息的最小单元——存储单元。
存取时间（访问时间）：一次发出读\写命令到数据传输操作完成所经历的时间
存储器分类：
按存储介质分：半导体存储器 、磁表面存储器
按存储方式分：随机存储器、顺寻存储器
按存储器读写功能分：ROM、RAM
按信息的可保存性分：非永久记忆、永久记忆
按在计算机系统中的作用分：主存、辅存、高速缓存、控制存储器
存储器分级：
寄存器、主存储器、磁盘光盘、磁带
CPU能直接访问的是内存储器
高速缓冲存储器简称cache
主存（内部存储器）是半导体存储器，根据信息存储的机理不同可以分两类：
- SRAM（静态RAM）
- DRAM（动态RAM）
SRAM存储器
静态RAM以触发器威为基本单元，不需要额外的刷新电路，速度快但集成度低，功耗和价格较高。
这里提到了触发器，数电渣渣在这里说一下什么是触发器：触发器的电路图由逻辑门组合而成，它是一个具有记忆功能的，具有两个稳定状态的信息存储器件，在各种复杂的数字电路中不但需要对1和0信号进行数值和逻辑运算，还经常需要将运算结果保存下来，为此需要具有记功能的基本逻辑单元。
触发器特点：
1.具有两个能自行保持的稳定状态，用来表示逻辑状态的0和1，或二进制数的0和1。
2.根据不同的输入信号可以把输出置成1或O状态。
3.当输入信号消失后，能保持其状态不变（具有记忆功能）。
DRAM存储位元
DRAM存储器
以单个MOS管为基本存储单元要不断进行刷新（Refresh）操作集成度高、价格低、功耗小，但速度较SRAM慢
在这里需要熟悉的存储元操作原理
-
写1到存储位元
写1到存储位元 -
写0到存储位元
写0到存储位元 -
从存储位元读出1
从存储位元读出1 -
从存储位元重写1（刷新）
刷新
存储器的扩充
1.字长位数扩展
给定的芯片字长位数较短，不满足设计要求的存储器字长，此时需要用多片给定芯片扩展字长位数。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。
所需芯片公式：
d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量
2.字存储容量扩展
给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，此时需要用多片给定芯片来扩展字数。
三组信号组中给定芯片的地址总线和数据总线公用，控制总线中R/W公用，使能端EN不能公用，它由地址总线的高位段译码来决定片选信号。
所需芯片数仍由（d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量）决定。
