重要思想：编写出数据项存储在层次结构中，较高地方的程序。

• **学习目标：SRAM、DRAM、ROM存储器及旋转和固态存储器。
  重点关注高速缓存存储器cache。

随机访问存储器(Random-Access Memory)：

• 静态RAM(SRAM)：
  （速度快，价格高，用于高速缓存，一般为几M。）
  SRAM用双稳态的存储器单元，每个单元有6个晶体管，可以无限期保持两个电压中的状态之一。
  具有扛干扰性。
  
  静态RAM的双稳态示意图

• 传统的动态RAM(DRAM):
  而动态RAM结构，由细节到宏观，如下图所示。

• 访问数据步骤:
  1:传送一个地址A到内存控制器
  2:控制器随即访问数据，选择指定的模块(module)k
  3:k模块将地址A转化成(i，j)形式。
  (i为行row，j为列column)
  4:将8个DRAM芯片，都访问其(i,j)，得到8个字节(8位)，依次组成64位。
  具体从单个DRAM芯片中得到字节的方式，如下图2。

  
  
  1
  
  
  2
  
  
  3

• 增强的DRAM:
  主要在传统结构上，进行优化，而得到一系列的改进结构。
  依性能排序为:
  1-快页模式: FPM DRAM
  (Fast Page Mode)
  2-拓展数据输出: EDO DRAM
  (Extended Data Out)
  3-同步DRAM: SDRAM
  (Synchronous同步)
  4-双倍数据速率同步DRAM: DDR SDRAM
  (Double Data-Rate):
  根据预取缓冲区大小划分: DDR1 DDR2 DDR3。

• 非易失性存储器：
  DRAM和SRAM，如果断电就会丢失信息。从这方面来说，属于易失的(volatile)。
  而非易失性存储器，即使断电之后，仍然可以存储信息。
  他们整体上都被成为只读存储器ROM(Read Only Memory)。
  ROM设备中，有基本的程序：固件，用来翻译cpu的输入输出请求。
  以可重写次数和重写机制分为：
  1：PROM(programmable)
  存储单元有熔丝，可以用高电流熔断一次。
  2：EPROM(erasable programmable)
  利用了光学物理设备进行写入，清零是用紫外线照射存储单元。
  可擦除重编程次数：1000数量级。
  3：EEPROM(electrically erasable)
  类似EPROM，但不需要格外物理设备，而是在电路卡上编程。
  可擦除编程数：10 0000数量级。
  闪存(flash memory)便是基于EEPROM结构。
  及基于闪存的固态硬盘。

访问主存的方式：

cpu和主存连接方式：
cpu--总线接口--系统总线--I/O桥--内存总线--主存
(I/O桥连接了I/O总线，由磁盘，显卡等共享)

整体流程

movq A,%rax 示例

• 磁盘：
  磁盘结构：由盘片、面、磁道、扇区和传动臂组成。
  磁盘封装了一个固件：磁盘控制器，用以将实际地址转化成连续的逻辑块。

磁盘结构

访问磁盘：
每一个逻辑块，会被翻译成：(盘片，磁道，扇区)三元组，对应唯一物理扇区。
读取时，读写头会将数据保存在控制器的缓冲区里，然后复制到内存中。

访问磁盘时间分为三个阶段：

1：寻道，将传动臂移到指定磁道。
时间平均通常为3-9ms。

2：旋转，磁盘转到指定的扇区。
Tmax=（1/RPM） //以m为单位要乘以60
Tavg=1/2 * Tmax

3：读写，对扇区（指定为512个字节）进行读写。
用每转耗时，除以扇区数。
T=Tmax / 扇区数。

连接I/O设备：

说明：系统总线和内存总线都与cpu相关，
而I/O总线与CPU无关。
如intel的外部设备互连PCI总线，其连接了磁盘、显卡、键盘、鼠标、USB(通用串行总线)。
PCI(Peripheral Component Interconnect )。
下图为CPU，内存，I/O设备简单抽象连接图：

• 访问磁盘：

CPU使用：内存映射I/O 技术来向I/O发射命令。
下图说明：
a.cpu发出三次指令：
1 命令：读。及其他参数如是否中断指令。
2 磁盘的逻辑块地址。
3 读出放到某个内存地址。
b.磁盘控制器接受命令，并读取定逻辑块，将值传送到内存。
此步骤不需要CPU参与，称为DMA(直接内存访问)。
c.当内容安全存储到主存上后，磁盘控制器会发生给cpu一个中断信号，来通知cpu。

• 固态硬盘SSD：
  (Solid State Disk)
  与磁盘区别：
  1：底层硬件为闪存而非磁盘，闪存分为b个块，每个块内又有一定数量的页，页内存放512~4k个字节。
  2：以闪存翻译器(控制器)代替磁盘控制器。

说明：闪存读取比写入快，因为：

1：必须已经格式化即擦除的块，才能在页写入数据。擦除块需要1ms左右时间。
但块进行一次擦除，其内页不需要擦除即可写入一次。

2：写入位置若已有数据，则需要将整个块的有用数据全部拷贝到已经被擦除的块，才能再进行写入。

下面是闪存的结构示意图和速度指标：
(IOPS是每秒I/O次数)

抽象结构

各项数值

近年cpu与各存储器性能、价格示意图：

存储器层次结构：

(memory hierarchy)

• 原则：基于缓存思想
  根据局部性(locality)思想，缓存可以作为实现的桥梁。
  如：
• 空间局部性：如数组，以步长1访问(每次索引加一)，具有良好的空间局部性。
  此时若高速缓存不命中，而下一层命中。则会提取包含多个元素的一整块，到高速缓存。因而下次访问的时间也会大大缩减。
• 时间局部性：频繁地访问某元素。
  高速缓存可以保存该元素在高层次中，相比每次从内存提取，能大大提高速度。

越靠近cpu，缓存容量越小，速度越快，价格越贵。

存储器层次结构

• 对于任意两层缓存(k,k+1)之间：

传输方式：以块进行传输。
在指定两层，块大小相同。而层次结构里，越高，则块的大小越小。

• 缓存命中与不命中：（读取）
  缓存命中(cache hit)：当需要的数据，在k层的块内时，缓存命中。
  缓存不命中(cache miss)：当需要的数据，在k层找不到，此时缓存不命中，会到k+1层寻找。

  
  
  缓存原理

不命中的种类：
①冷不命中(cold miss)：k层是空的，
②容量不命中(capacity miss)：如程序中，需反复访问同一数组的元素，此时缓存太小，不能够处理这个工作集。
③冲突不命中(conflict miss)：缓存足够，但是k层中的某块地址，被k+1层以某种规则映射，即两个块都会映射到同一个地方。
如规则为mod 4时：程序反复需要块0，块4。
1：先请求块0，此时k层没有，从k+1层取出放在k层指定位置，并取出元素返回给cpu。
2：cpu又请求块4，又会不命中从下一层调，然后保存并返回值，此时又覆盖了块0。
3：cpu又请求块0，又会不命中。这就是冲突不命中。

• 缓存管理：
  可以由软件、硬件、或者两者结合，如下图
  

• SRAM高速缓存结构示意图：
  cpu发出的地址的，高速缓存是如何翻译，并判断出指定地址的?
• 高速缓存采取（S,E,B,m）结构：
  S：高速缓存内部分为S个组（0，S-1）。
  E：每个组内部又有E个行。
  B：每个行包括：1个有效位，t个标记位，一个块（B个字节，可以理解为字节数组）

• 与地址的对应：
  传入地址为：t个标记位，s个组数位，b个偏移位。
  t标记位一一对应；
  s个数组位指出指定组——共S=2^s个组；
  b位指出字节偏移位——共B=2^b个字节。
  如下图：

  
  

高速缓存实现：
以下模型均假设内存和cpu间，只有一个L1高速缓存。

• 直接映射高速缓存：
  最简单模型。E为1，即每组一行。
  步骤①：由s位找到指定组。
  步骤②：访问唯一行的有效位。
  步骤③-1：有效位为1，匹配标志位t，若相等，由b在块中，找到偏移位，取出指定数量字节，返回给cpu。
  步骤③-2：有效位为0，则访问内存，从内存得到一个数据块，将其放到指定组，取出字，返回给cpu。

  
  
  直接映射抽象流程

• E路相联高速缓存：
  每组有E行。
  步骤与直接映射类似，找到组后，对每一行进行遍历，命中则返回值，否则访问内存。

  
  
  2路相联高速缓存

• 全相联高速缓存：
  仅有一组，包含了C/B行，C为容量（仅包含块数据，不包含标志位和有效位）。

  
  
  全相联高速缓存

ps：为什么用中间位当做s组索引?↓

写命中与不命中：

• 写命中会执行：
  直写：当某层写命中后，会更新块内指定内容，然后往更低层继续写。
  写回：当某层命中后，也会更新写入到块内，但是不会直接写入更低层，除非该行会被替换时。（需要附加硬件判断该行是否被修改过。）
• 写不命中会执行：
  写分配：从更低层读入块，然后更新块内内容。
  非写分配：直接写入到更低层，而不对该层进行修改更新。
  说明：
  写回和写分配，都更利于局部性实现，但会需要格外硬件，使要替换驱逐该行时，会将该行复制更新到更低层中。

• cpu与高速缓存

  
  
  三层cache封装到cpu中
  
  
  层次结构
  
  
  影响参数
  
  

  ps：存储器山的实验，暂时没进行，以后可以看csapp家庭作业，山的代码已经下载到OSstudy/soft里了。