5.1 半导体存储器
5.1.1 半导体存储器的分类
1.随机存取存储器RAM，断电后原保存的信息将丢失
（1）静态RAM，以触发器电路为基本存储单元，优势是速度快、无需刷新，但其集成度低，功耗和价格较高，多用于存储容量不大或速度较高的场合。
（2）动态RAM，以单个MOS管为基本存储单元，需要不断地刷新操作。优势是集成度高、价格低、功耗小，但速度较慢，常用于存储容量较大地场合。
2.只读存储器ROM
（1）掩膜ROM（2）一次性可编程ROM（3）可擦除可编程ROM，紫外线（4）电擦除可编程ROM（5）闪速存储器，扇区为基本数据单位
5.1.2 半导体存储器芯片的结构
图5-2
1.存储矩阵
存储结构反映芯片地址引脚M和数据引脚个数N的关系如下：
芯片的存储容量 = 存储单元数 × 每个存储单元的数据位数 =
2.读写控制
（1）片选信号，常为
（2）读控制信号
（3）写控制信号
5.1.3 半导体存储器的主要技术指标
1.存储容量
2.存取速度
5.2 随机存取存储器RAM
5.2.1 SRAM
5.2.2 DRAM
1.行地址选通信号和列地址选通信号
2.每次只对一行进行刷新
5.3 只读存储器
5.4 半导体存储器的连接
图5-22
5.4.1 存储器芯片的地址译码
1.地址译码，译码是指将某个特定的编码输入翻译为有效输出的过程。
2.门电路译码
3.译码器
4.全译码和部分译码
使用全部的微处理器地址总线，低位地址信号实现片内寻址，高位地址实现片选地址，这种译码方式称为全译码方式。 特点是地址唯一，一个存储单元只对应一个存储器地址，组成的存储系统的地址空间连续。
部分译码只使用部分系统地址总线进行译码，出现了地址重复，一个存储单元对应多个存储器地址，浪费了存储空间。
存储器地址译码一般使用全译码，部分译码在I/O地址译码中经常使用，PC机也是这样。
5.4.2 存储容量的扩充
1.位扩展
2.字扩展，扩展存储单元数，片选
3.8086的16位存储结构。偶存储体 第八位 奇存储体 高八位
