http://blog.csdn.net/gtkknd/article/details/26324397
http://bbs.21dianyuan.com/28549.html
http://www.360doc.com/content/11/0914/09/2379373_148095479.shtml
http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b2c39e20100w69h.html
http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3009075.HTM
导通过程
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1. t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th） ，导电沟道没有
形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2. [t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，
MOSFET开启，DS电流增加到ID, C gs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指
数增长到Va
3. [t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，C gd
电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了
栅极电压对C gs 的充电,从而使得V gs 近乎水平状态，C gd 电容上电压增
加,而DS电容上的电压继续减小;
4. [t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压
,Millier效应影响变小，C gd 电容变小并和C gs 电容一起由外部驱动电
压充电, C gs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态
,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
