退火，半导体工艺中的退火，一直没弄明白，近期学习一下，自己再消化。因为本人不是半导体专业的，但是又从事这个相关的工作，所以有必要多学习，用自己的语言去理解，虽然不一定准确，但是力求在大方向上是正确的。
主要内容:
什么是退火？定义。
怎么退火？方法
为什么退火？目的
退火的效果？
基本上搞清前三个问题就差不多了。
？什么是退火
-首先和负责做快速退火工艺的老师请教什么是退火。
专业角度讲，退火是改善无序为有序，恢复结晶常数和迁移率，利用适当的时间和温度恢复晶格秩序的工艺过程就是“退火”。
？退火的目的
-从定义里就可以知道，退火的目的是恢复结晶常数和迁移率。（这里面涉及了两个词语，结晶常数和迁移率，后面会解释）
？退火的方法
-同样从定义里可以知道，退火的方法就是把样品放到炉体里，然后设定时间和温度。至于什么时间和温度合适，查阅相关的资料可以得到，或许得到的时间和温度不一定符合自己的需求，那么可在查到的数值附近再多做几次实验便可以找到。更直接的方法，就是找负责退火工艺的老师，把需求和他说，他会帮你实现。
-通俗的讲，退火就是把进入到A中的B原子恢复到A中某个原子原来所处的位置，对该原子的位置进行替换，然后在宏观上能体现出B的特性，改善整个样品A（掺杂了B）的特性，比如迁移率。
？什么是快速退火
-退火的方法分为快速退火和常规退火。
-快速退火就是时间短，升温快，保温时间短，时间在5-6分钟，样品可以快速取出。常规退火的特点是，升温慢，保温时间长，最短时长在1小时。快速退火可能没有常规退火做的完美，但是有的工艺需求是可以满足的，所以用快速退火完成，而不一定要用常规退火。
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