在电子线路中通常采用浪涌保护器件件来对电路进行保护，常见的几种浪涌抑制保护器件有：瞬态抑制二极管TVS、陶瓷气体放电管GDT、压敏电阻MOV。优恩半导体为大家总结了这几种常见浪涌抑制保护器件的优劣势对比，方便大家选择合适浪涌抑制保护器件：
瞬态抑制二极管（Transient voltage suppressor）
亦称瞬态电压抑制器，是一种专门用于抑制过电压的器件。其核心部分是具有较大截面积的PN结，该PN结工作在雪崩状态时，具有较强的脉冲吸收能力。
优点：残压低，动作精度高，反应时间快（<1ns），无跟随电流（续流）；
缺点：耐流能力差，通流容量小，一般只有几百安培。
陶瓷气体放电管(Gas discharge tube)
陶瓷气体放电管可以用于数据线、有线电视、交流电源、电话系统等方面进行浪涌保护，一般器件电压范围从75～3600V，耐冲击峰值电流40KA，可承受高达几千焦耳的放电。
优点：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小；
缺点：残压较高，反应时间慢（≤100ns），动作电压精度较低，有跟随电流（续流）。
压敏电阻（Metal oxside varistor）
该器件在一定温度下，导电性能随电压的增加而急剧增大。它是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻。没有过压时呈高阻值状态，一旦过电压，立即将电压限制到一定值，其阻抗突变为低值。
优点：通流容量大，残压较低，反应时间较快（≤50ns），无跟随电流（续流）；
缺点：漏电流较大，老化速度相对较快。
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