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1883年美国发明大王爱迪生发现了“爱迪生效应并”将它申请为专利。英国物理学家弗莱明根据“爱迪生效应”制造出了第一个二极真空电子管。1907年美国发明家德福雷斯特发明了三极真空电子管。三极真空电子管能够在不失真的前提下放大微弱的信号，为广播电视和无线通讯等技术的发展铺平了道路。
1947年12月锗晶体管被发明出来了，1954年2月第一个可商用的硅晶体三极管研制出来了。1958年9月现代电子工业的第一个集成电路被制造出来了。
1968年英特尔公司成立，公司成立18个月后英特尔做出了第一款存储器产品，是仅有64B容量的3101型静态随机存储器（SRAM）。随后英特尔又开发出256B的1101型SRAM。1970年英特尔在自己的3英寸晶园圆上成功量产了划时代的1K容量的内存1103，并且价格低廉。
1973年石油危机爆发后，德州仪器半导体中心的首席工程师也拉了一票人马，在马萨诸塞州成立了莫斯泰克公司，并且研制出低成本的4K内存。紧接着在16K内存上也取得了技术领先，市场份额一度超过英特尔。
1976年日本启动了“下世代电子计算机用超大规模集成电路”研究开发计划。富士通与IBM几乎同步研制出64K内存，日本企业凭借64K内存拿下全球一半以上的内存市场，256K内存也实现了量产。
1987年和1991年美光分别成功开发出1M和4M的内存，仅比日韩企业晚一两年。1989年三星电子实现了4M内存的量产，达到了世界领先水平。
三星电子连续五年在八英寸晶圆线上投入超过5亿美元的巨资，凭借极大的成本优势，几乎一夜之间三星电子就让16兆内存的价格暴跌至之前的百分之四。1992年三星电子超过日本成为世界第一大内存制造商。
中国台湾的力晶公司直到1996年才建成第一条八英寸生产线，以0.4微米工艺生产16兆内存。到了2004年力晶成为全球唯一将256M内存生产成本降至3美元以下的厂商。
中国的江南无线电厂1985年开始批量生产64K内存只比韩国晚一年。华晶到1993年才生产出第一块256K内存，与韩国的差距拉大到了七年。
读完了芯片战争这本书，将关于内存容量的部分单独摘抄了出来。这本书主要讲芯片发展史，内存仅仅是其中一小部分。
我国的芯片发展受到美国的严重打压，最先进的光刻机一直被限制出口到我国。
我在京东上查了查内存的价格，单条128G的内存卖5千块钱。普通单条8G 内存不到100块钱。
我第一次接触电脑是286，内存可能只有一兆。后来学校买了一批386电脑，内存可能是16M，当时就觉得内存太大了，根本用不完。
几年前自己攒的电脑，内存是四根8G内存，一共是32G，基本上够用了。
