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导读：反超美韩？中企宣布芯片技术突破，外媒：美芯设计已被动摇！
众所周知，在老美多次修改芯片规则以后，就让我们意识到了发展自主半导体产业链的重要性；为了打造出属于我们自己的国产半导体产业链，国内也制定了国产半导体产业发展的五年计划，在2025年以前要实现国产芯片自给率70%；要想完成这一目标，那么我们就必须要重点关注在半导体设计和制造领域的发展才行，为此中企也一直在努力的研发和布局！
要知道，在芯片制造领域，台积电以及三星一直都是全球领先的巨头企业，另外还有美光等美企的实力也不容小嘘；而在芯片设计领域，美国的高通、英特尔、AMD等企业更是全球市场上的霸主，我们想要进行反超也并不容易；不过这也并不意味着中企就没有机会，如今国产长江存储突破了晶栈3.0架构，而中国晶栈架构也开始反超美韩，那么中企在芯片技术领域这一次又有哪些突破呢？
在半导体领域，除了我们熟悉的CPU芯片以外，NAND闪存芯片也是非常重要的；在我们的日常生活中，几乎所有的电子设备都需要搭载存储芯片才行，随着存储芯片市场的不断发展，NAND闪存也开始成为了市场上的主流，而在NAND闪存领域，一直都被韩国三星、SK海力士以及美光等美韩巨头所垄断，但长江存储经过不断的技术突破，如今已经突破了晶栈3.0架构，并为我们带来了领先的闪存芯片X3-9070产品，而这也是对美韩技术的一次反超！
如今NAND闪存已经成为了全球半导体芯片市场上的的重要分支，一般来说，NAND闪存主要看闪存颗粒层数，层数越多，那么性能就越可靠；这些年来韩国三星电子，SK海力士以及美光等巨头企业一直都在研发3D NAND闪存，想要以此获得更高性能的突破，而我国长江存储则独创性的研发出了晶栈®Xtackin架构技术；而这种架构设计技术可以让3D NAND具有更高的存储密度和传输速度，而这也是长江存储在芯片技术领域的一次历史性的突破！对此外媒也表示：美芯设计已被动摇！
在中企的不断努力下，长江存储正式发布了第四代3D TLC NAND闪存芯片X3-9070；这是首个量产的200层+3D NAND闪存芯片，在性能上将提升50%，功耗降低25%；虽然说美韩巨头企业也都已经研发出了200+层数的3D NAND芯片，但是它们并没有推出相关的领先产品，而这不仅为中企提供了反超的机会，而且也将让中企拿下更多的市场份额！
综合来看，这几年，在老美的极限打压之下，也刺激了很多中企加快了自研的步伐，而长江存储的技术突破也只是一个开始，如今我国的龙芯中科还自主研发出了LoongArch架构，而阿里平头哥也在研发RISC-V架构，并受到了美企高通、英特尔等巨头企业的青睐，并展开了相关的布局，而芯片的好坏和芯片架构的研发和设计是有很大关系的，而中企的突破，也让我们在半导体领域夯实了基础的能力，并让美芯设计的地位在架构层面被动摇；不知道对此你是怎么看的呢？
