院系介绍
北京大学信息科学技术学院具有悠久的历史，最早可以追溯到上世纪50年代数学力学系的计算数学专业和物理系的无线电物理、电子物理、半导体物理专业。
1958年12月，在物理系无线电物理、电子物理等专业基础上成立了无线电电子学系，1996年更名为电子学系；
1978年，在数学系计算数学专业和无线电电子学系计算机专业基础上组建了计算机科学技术系；
1985年，由数学系、计算机科学技术系、电子学系等校内十个系（所）联合组建了信息科学中心；同年，成立了微电子学研究所。
学院学科建设覆盖计算机科学与技术、电子科学与技术、信息与通信工程、软件工程4个一级学科，其中计算机科学与技术、电子科学与技术为国家重点一级学科，计算机软件与理论、计算机应用技术、物理电子学、微电子学与固体电子学、通信与信息系统为国家重点二级学科。
按2013年度US News的评价体系，北京大学“电子工程”学科排名第36位，“计算机科学”学科排名第35位；按ESI的评价体系，北京大学的“计算机科学”、“工程”学科均进入全球研究机构的1%。2015年QS全球大学学科排名，在计算机科学与信息系统学科中，北京大学名列第36位，为中国大陆高校之首。
考试科目
招生专业及方向
080903微电子学与固体电子学
01.微纳电子器件及集成技术(ULSI)
02.系统集成芯片(SOC)设计及设计方法学
03.微电子机械系统(MEMS)
04.宽禁带半导体器件及集成技术
参考书目推荐
912半导体物理：
《半导体物理学（第7版）》，刘恩科、朱秉升、罗晋生，电子工业出版社，2011-03
《半导体物理与器件（第4版）》，尼曼，电子工业出版社；
934数字与模拟电路：
《电子技术基础（模拟部分）》(第5版)，华中科技大学电子技术课程组、康华光，高等教育出版社，2006-01；
《电子技术基础（数字部分）》(第5版)，华中科技大学电子技术课程组、康华光，高等教育出版社，2006-01。
政治：《政治新石器》
英语：《一本单词》《木糖英语真题手译版》蛋核英语写作和阅读
历年复试招生情况
2020年复试线：55/55/90/90/310，统考录取2人，初试最高分364，最低分354；
2019年复试线：55/55/90/90/375，统考录取2人，初试最高分398，最低分390；
2018年复试线：50/50/90/90/310，统考录取6人，初试最高分383，最低分355；
20考研复试细则
1、复试基本内容：包括专业知识、科研能力、逻辑思维与表达能力、英语听力及口语测试等。
2、成绩权重：初试成绩占总成绩的50%，复试成绩占总成绩的50%。
3、外语听力及口语测试均在复试中进行，成绩计入复试总成绩。
4、总成绩计算公式：总成绩=50%×初试总成绩/5+复试成绩(百分制)×50%。
5、复试成绩满分为100分,60分及格,不及格的考生不予录取。各专业拟录取名单根据专业招生名额依总成绩名次择优录取。
21备考指导及专业课经验分享
主要讲讲912半导体物理的复习，912的考试内容在2020之前为六个名词解释和五道大题，2020年变为五道大题，但其实关于名词解释的部分还是会穿插在大题之中。
第一轮复习要认真过一遍参考书，将所有知识学习一遍，起码要做到不陌生，重要的地方一定要深入理解。
第二轮的时候将真题按照不同章节认真过一遍，并结合历年真题对书本进行第二次的回顾。对于书本上重要的公式要熟练掌握其推导过程（一定要自己动手推导！），要有可以闭上书根据其原理轻松推导出公式的能力，公式一定不只是记忆，知道它的来龙去脉才是关键。
名词解释也要开始总结并背诵了，真题上的名词解释以及简答题可能在刘恩科的书上会找不到，可以参考孟庆巨的《半导体物理简明教程》及尼曼的《半导体物理与器件》。
11月到考前主要建议将真题按照年份掐时间做，真题上的知识点一定要全部掌握，这是我们可以拿到一个不错的分数的关键。
关于专业课、学长有话说：
（1）书本教材是重中之重，所有考题都源于书本。不要放过任何一个细节，把所有可考内容都存入大脑，按重要性排个序，重复再重复，直到不能更熟悉的程度。
（2）手中现成的资料、笔记再多，也只是参考而已，其主要作用在于提纲契领，帮助我们掌握复习方向和重点。建议阅读有价值的资料，在教材和资料的基础上形成自己的个人笔记，将书本资料内化为逻辑思维能力和分析能力。多看多背多拓展多记忆。
（3）在条件允许的情况下，或者在选购专业课资料时，最好找在读的研究生学长学姐咨询一下，如果找不到可以报新祥旭的一对一辅导班，学长之前报得这个机构，老师是真的很靠谱。他们的经验和指导对复习有非常重要的作用，能真正帮助你解决问题。一方面，你能快速地知道知识重点，架构起知识体系；另一方面，你也会学到一些答题技巧和案例分析题的方法，少走弯路
2018年北大912真题回忆
一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎（还有两个记不清了，历年真题中可以找到）
二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型，并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么
三、题干给出了两种材料（n型Eg较窄，p型Eg较宽）的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va
四、p-mos管（n型衬底）中，Wm<Ws，SiO2层厚度及介电常数已知，
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3.Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别
六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线
