国产光刻机技术再次取得重大突破，为防止失误，经过多方求证，最终确定哈工大这次公布应用在光刻机上的高速超精密激光干涉仪是能够解决DV光刻机的关键问题的，该技术得到了世界认可，并荣获世界光子大会金燧奖的金奖。同时我们从国家科技奖项中，哈工大申报的其技术以绝对的实力排名第一名，从这我们就知道该项技术在芯片制造领域有多重要了。

这段时间，哈工大可谓是给国人长足了脸面，攻克了困扰我国相当长时间的领域光刻机。为此国家为哈工大颁发了我国光学学会最高奖项。曾经荷兰的企业ASML非常嚣张的表示，哪怕把EUV光刻机的图纸给中国，咱们也研究不出来。ASML能这么说是因为他们深知我们造不出来，因为光刻机虽然不大，一张桌子都能放下，但是却包含了大大小小共计10万多的零部件，制造起来不仅困难，而且十分的繁琐，不过ASML显然小看了哈工大的科研人员，他们仅用了两年的时间就在光刻机研发上获得了重大突破，研制了高速超精密激光干涉仪，整体性能位于世界顶尖水准。

哈工大此次新突破的光刻技术到底有多厉害，首先我们知道光刻机是专门用来生产芯片的，同时也是生产大规模集成电路的核心设备。精度越高的光刻机所生产出来的纳米尺寸更小，刻石出来的芯片越先进强大。如果想要制造小于五纳米的芯片源，就只能使用EUV光刻机进行生产，在哈工大获得突破之前，国内最顶尖的技术也只能刻造14纳米，而在梁教授的带头公关下，也只能将这个数据缩小到七纳米。

目前对激光干涉的位极测量精度从纳米级进一步突破到了亚纳米级，而位移的速度也将从数百毫米每秒暴涨到了数米每秒。针对我国光刻机等设备的迫切需求，哈工大先后探索了传统的双光双频激光干涉测量方法并一直在高精度激光、稳形光学非线性误差、高速高分辨率干涉信号等方面不断的取得突破。根据哈工大方面所讲述，这项技术将会为未来更先进、更高工艺的光刻机做技术铺垫，说明我们不仅有信心打破西方国家对国内芯片的垄断，还要反客为主，占据主动权。

结合着前段时间哈工大爆出的招标信息可推断那时就已经攻克了光科技的核心技术，但却没有轻易爆出，估计是想等到现在宣布给那些卡咱们脖子的人一击致命。去年同期，哈空大就公布了在激光领域有技术突破的消息，并联合各大研究机构发布了基于新型EUV激光器件领域的关键研究成果，该成果针对小型化短波激光器提供了解决问题的思，对EUV光刻机带来了新的方案。同时截止到目前为止，哈工大还在光刻机的EUV激光光刻机双工作台等技术上有所突破。换种说法，EUV光刻机最核心的部分已经被哈工大给掌握了，距离我们拥有自主产权的EUV光刻机就要到来。

另外结我国目前绝大部分的芯片工艺主要集中在28纳米的水平，如果28纳米的光刻机获得突破，并且还能保障良率，那么我国的芯片发展就能完美的过渡到自给自足。而根据哈工大所研制的超精密激光干水仪，可以运用到350纳米到28纳米工艺的光刻机样机集成研制和性能测试，就恰恰能证明我国的芯片将不再被卡脖子。

这几年来，老美不断的用各种手段限制中国芯片行业，在2018年国内最大规模芯片代工厂中芯国际向ASML订购EUV光刻机的时候，老美从中作梗，以该款光刻机中含有美方无可替代的零件为借口，要求ASML停止向我国供应光刻机，简直就是霸王条款。

但是这种这种做法反而激发了各大企业和院校的潜力。中国心在各个领域一一打破不白，屡屡创造奇迹。从存储芯片到射频芯片再到GPU芯片，我国年都一直在突破新高。而如今哈工大在光刻机的关键技术上也水到渠成，这不由得让比尔盖茨预言，如果美国继续限制中国芯片，那么自己最后反而会受到反制。而结局如盖茨所料，如今美国多家芯片企业都公布了2022年下滑的经济，而英特尔公司更是连续两个季度亏损。

美国对中国的打压将促使中国更快研发出世界一流的光刻机，但是气血上头的美国佬可管不了那么多了。在外界看来，这场芯片战打的越久，对中国就越有利，因为目前世界芯片技术的顶点就摆在那儿，我们依靠着后车优势，走着前人为咱们铺平的道路，不得不说，哈工大的科研人才真是太优秀了，毕竟作为世界上第一所拥有核打上第一所拥有合法技能力的大学。

当今ASML已经全垄断了高端的光刻机，我们面对的压力正在与世俱增。如果我们想要在芯片领域赶超美国，就必须要有充足的人才储备，国内以哈工大为首的多家名校都已建立了集成电路学院，在国家充分的支持下，他们正埋头苦干，努力缩短和顶尖的差距。我们追求的是远大的理想，而不是短期的目标。无论是物风芯片量产，还是哈工大爆出好消息，从该消息可以看出我们有着可怕的潜力，我们只需牢记，光刻机具有非常重大的意义。如果航工大和其他院校企业彻底研制出了一款高端的光刻机，就代表着我国的两脚已经在世界顶端站稳。美国的芯片危机无时无刻都在提醒着每一个中国人，在最为关键的技术和领域，如果不想被人拿捏，那就得卯足了劲儿打破被卡脖子的困境。