SK海力士72层3D NAND存储器，传明年领先全球量产；
集微网消息，SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产，韩联社周一引述知情人事消息报导指出，SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行，SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温，SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破，但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013年量产48层3D NAND存储器，至于64层3D NAND芯片也将在今年底开始投产。
据市调机构DRAMeXchange统计，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。东芝以19.6%位居第二，Western Digital、SK海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4%与9.8%。
